前瞻電子元件與材料研究中心設備與空間簡介

Advanced Center for Electronic Devices and Materials 以工程三館 1F、2F 與後棟 3F 為核心，提供從半導體薄膜磊晶、微米級圖形定義到後段封裝接合的全方位元件製程與研發平台。

50 電機・再創奇「機」。煥然一新的 NTHU ENG III ACE，串連核心設備、無塵室管理與跨領域研發服務。

核心設備規劃

• Core Facilities I @ R108：8 吋 Maskless Stepper MLA150，Minimum pitch size 600 nm，Resolution 500 nm。

• Core Facilities II @ R212：Neutral-Beam Etcher。

• Core Facilities III @ R212：Atomic Layer Deposition ALD。

• Core Facilities IV @ R212：Thermal Evaporation。

• Core Facilities V @ R209：MOCVD Cluster / M3D-ICs。

門禁、訓練與自行操作流程

1. 第一次申請：完成無塵室設備自行操作申請、環安衛中心課程訓練、半導體課程訓練。
2. 申請門禁開卡：通過資格審核後辦理門禁權限。
3. 儀器設備訓練：完成欲使用設備之操作訓練。
4. 儀器設備考核：通過考核後取得自行操作資格。
5. 已有門禁資格者：依設備需求補齊訓練與考核後即可自行操作。

使用規範要點

• 權限取得：須通過環安講習課程、機台考核，並完成使用規則講習。
• 進出規範：限本人刷卡入內，禁止借用卡片或一卡多人進出。
• 實名簽署：須簽署使用者切結書及環安衛工作守則承諾書。
• 化學作業：黃光區須經 Air Shower 進入；化學槽光阻須立即清除；槽區操作應落實手套、實驗衣等個人防護。
• 藥品標示：分裝瓶須標註名稱、使用者姓名、實驗室與日期。
• 違規處分：累積 3 點停權 14 天，重大違規最長停權 30 天；3 個月內無再次違規可消除點數。