3F R300
後棟 3F 134.3 坪
配置深反應離子蝕刻、ALD、接合、E-GUN 與 2D MOCVD 等設備。
3F R300 後棟設備
Deep RIE / SPTS LPX Pegasus
- 狀態：Available。
- 功能：具有高深寬比特性，能夠蝕刻單晶矽或多晶矽。
- 晶圓尺寸：4 吋。
- 製程氣體：SF6、C4H8、O2。
- 製程能力：最小蝕刻線距 trench 達 4 um。
項目 | 清大 | 學術單位 | 營利事業單位 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
機台使用費 | 4,200 元/時 | 6,000 元/時 | 9,000 元/時 | 此機台不開放自行操作。 |
代工費用 | 3,000 元/時 | 3,000 元/時 | 3,000 元/時 | 委託代工：機台使用費 + 代工費用。 |
ALD / Picosun R-200 Advanced
- 狀態：Available。
- 功能：沉積 Al2O3 薄膜。
- 晶圓尺寸：破片至 8 吋。
- 製程：thermal deposition, H2O process。
項目 | 清大 | 學術單位 | 營利事業單位 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
機台使用費 | 2,000 元/時 | 2,500 元/時 | 5,000 元/時 | 此機台不開放自行操作。 |
代工費用 | 1,000 元/時 | 1,000 元/時 | 1,000 元/時 | 委託代工：機台使用費 + 代工費用。 |
E-GUN / Cello-Ohmiker 50B
- 狀態：Available。
- 功能：可依使用者需求，對晶圓進行金屬材料鍍膜。
- 晶圓尺寸：4 吋以下晶圓，單次最多可進 9 片 wafer。
- 製程：thermal deposition, H2O process。
項目 | 清大 | 學術單位 | 營利事業單位 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
機台使用費 | 1,000 元/時 | 2,000 元/時 | 5,000 元/時 | 自行操作。 |
代工費用 | 300 元/時 | 300 元/時 | 300 元/時 | 委託代工：機台使用費 + 代工費用。 |
靶材 | 收費標準 |
|---|---|
金 Au / 鉑 Pt / 銀 Ag | 自備 |
其他金屬 Al、Cr、Ni、Ti | 0.5 元 / Å |
Bonder / RIE-400IP / Clean Hood
支援接合、蝕刻與後段製程，詳細規格與收費依設備公告為準。
2D MOCVD
預計 2026 年暑期上線。MOCVD Cluster / M3D-ICs，支援 2D 材料相關製程，詳細規格與收費依上線公告為準。
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